国博电子“射频芯片和组件项目”投产延期至2025年3月

3月16日，国博电子发布公告称，公司将募集资金投资项目“射频芯片和组件产业化项目”（以下简称“募投项目”）达到预定可使用状态的日期延长至2025年3月。
关于项目延期原因，国博电子表示，射频芯片和组件产业化项目在实施过程中，面对复杂多变的外部经济环境影响，公司基于谨慎性的原则减缓了募投项目的实施进度，并根据行业技术的最新发展情况调整了部分设备的技术要求，使得募投项目的实际投资进度较原计划略有延迟。公司综合考虑资金使用情况和实际项目进度影响，在保持项目的内容、投资用途、投资总额和实施主体不发生变更的情况下，决定对上述募投项目延期。
随着有源相控阵产品迭代升级和移动通信技术发展，射频电子的应用领域更加广泛，公司需要持续加强科技创新实力和产业化能力，不断提高产品质量和生产效率，提升核心竞争能力，争取更多的市场应用。有源相控阵技术应用前景广阔，在雷达探测、卫星通信等方面取得广泛应用，并逐步向其他领域扩展，作为其关键元器件的有源相控阵 T/R 组件将获得更广阔的市场空间。6G、卫星互联等移动通信技术持续发展，智能制造、自动驾驶、虚拟现实等领域都将成为新一代移动通信技术应用的重要场景，同样需要更高集成度、更低功耗的射频芯片技术和产品，也将为射频集成电路产业带来新的发展机遇。
国博电子是国内能够批量提供有源相控阵 T/R 组件和系列化射频集成电路产品的领先企业，建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局，产品覆盖芯片、模块、组件。公司形成了有源相控阵 T/R 组件和射频模块、射频芯片的核心技术平台，掌握具有自主知识产权的核心技术。
基于核心技术，公司形成了系列化的产品结构和产业化的生产能力，研制开发了数百款有源相控阵 T/R组件，多个有源相控阵 T/R 组件定型批产；开发的基站射频集成电路及组件产品已经在国内 4G、5G 基站实现大批量供货，针对移动通信终端应用的开关、天线调谐器、DiFEM 相关芯片产品被客户引入并批量交付。
国博电子指出，公司募投项目将进一步升级研发射频芯片、模块和 T/R 组件领域相关技术，重点实现毫米波和太赫兹 T/R 组件设计技术能力、工艺制造技术能力、测试能力、可靠性评估等能力的进一步提升，实现移动通信射频芯片和微波毫米波芯片设计研发、在片测试能力提升。募投项目能够提高微波毫米波相关技术水平，是提升公司核心产品产业化能力的必经之路，有助于公司迎接未来市场需求升级的挑战，满足日益增加的市场需求。通过项目的实施，将为公司高质量发展奠定坚实的基础。